申慧
,
徐家跃
,
郁金星
,
武安华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01099
采用光学浮区法生长了新型磁光晶体YFeO3, 通过工艺优化, 获得了φ(7～10)mm、长度约60mm的YFeO3晶体. XRD分析表明晶体具有正交钙钛矿结构, 晶格常数a=5.5964A, b=7.6052A, c=5.2842A. 晶体生长界面为凸界面, 生长取向接近[100]方向.晶体截面抛光后观察, 未发现肉眼可见的包裹体、晶界等缺陷.
关键词:
光学浮区法
,
magneto-optical materials
,
YFeO3 crystal
,
crystal growth
张小桃
,
谢建军
,
夏长泰
,
张晓欣
,
肖海林
,
赛青林
,
户慧玲
人工晶体学报
作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10％的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn∶ β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究.结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2 O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射.
关键词:
Sn∶β-Ga2O3
,
浮区法
,
电导率
,
荧光光谱
冯鹤
,
任国浩
,
丁栋舟
,
李焕英
,
徐军
,
杨秋红
,
徐家跃
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12599
通过浮区法制备得到LPS∶0.5％Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77～500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77～500 K下的衰减时间谱.研究发现晶体中存在解理开裂和热应力开裂,同时存在两种类型的包裹体,分别包含[5i3O9]6-、[SiO3]n2-阴离子团和过量的SiO2.由于采用空气为生长气氛,样品中部分Ce3+被氧化为Ce4+.浮区法LPS∶0.5％Ce表现出较高的发光效率,约为32000 ph/MeV.随着温度的升高,样品的紫外激发发射谱逐渐向长波方向移动,发射谱谱线随着温度的升高展宽,导致自吸收的增加.衰减时间的温度转变点位于450 K,表明LPS:Ce闪烁晶体适用于高温环境,是一种性能优异的闪烁晶体.
关键词:
Lu2Si2O7∶Ce
,
浮区法
,
单晶
,
缺陷
,
闪烁性能
牛雪姣
,
徐家跃
,
周鼎
,
王树贤
,
张怀金
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150160
采用共沉淀法合成了Ce,Pr∶YLuAG粉末,在1450℃下煅烧可获得石榴石结构纯相.经过压制成型、固相烧结等工艺制备了多晶料棒,TEM显示二次烧结获得的料棒具有良好的结晶性.采用光学浮区法生长了Ce,Pr∶YLuAG晶体.晶体通体透明,呈浅黄色,肩部有少量裂纹.透过率达到81.8％,接近于理论值84.2％.晶体在460 nm波长激发下呈现530 nm发射带和610 nm发射峰,分别对应Ce3+和pr3+的特征发射,表明Ce3+可以向Pr3+进行能量转移;在487 nm激发下晶体仅出现pr3+离子的特征发射峰.Ce,Pr∶YLuAG晶体色坐标为(0.474,0.495),比商用Ce∶YAG荧光粉更靠近红光区域,可以弥补现有荧光粉不足,更适合制造白光LED.
关键词:
光学浮区法
,
晶体生长
,
掺杂
,
YLuAG晶体
曾小军
,
刘维良
,
武安华
,
朱雁风
人工晶体学报
以La2O3和Fe2O3粉体为原料,在1400℃烧结24h制备出了LaFeO3多晶料棒,采用浮区法生长出LaFeO3晶体.从晶体开裂、晶体中孔洞、晶体生长层、晶体内包裹物和晶体位错几方面,系统地研究了LaFeO3晶体的缺陷形成.通过分析晶体缺陷产生的原因,提出了有效减少缺陷和控制缺陷的方法.同时,优化了晶体生长工艺,提高了LaFeO3晶体质量.
关键词:
LaFeO3晶体
,
浮区法
,
缺陷
吕正勇
,
施鹰
,
殷录桥
,
夏长泰
,
赛青林
,
狄聚青
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm.通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10 μm左右.在室温下,进行了发射光谱和荧光寿命的测试,发现随着Gd3+浓度的增加,发射光谱发生了红移,最大发射波长从555 nm移至570 nm,荧光寿命为65 ns附近,并测试了共晶荧光体与大功率蓝光芯片匹配所得的光色性能.
关键词:
(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶
,
浮区法
,
发射光谱
王杨
,
张忻
,
张久兴
,
刘洪亮
,
江浩
,
李录录
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150587
以三元稀土硼化物Ce1-xGdxB6为研究对象,系统研究Gd掺杂对CeB6阴极材料热发射性能的影响规律.采用放电等离子烧结结合光学区域熔炼法成功制备了高质量的Ce1-xGdxB6(x=0～0.3)单晶体.借助360度Phi扫描单晶衍射仪对生长后的单晶进行了测试,结果显示单晶质量良好.采用劳埃定向仪确定出(100)晶面,并测试了该晶面在1673 K、1773 K、1873 K下的热电子发射电流密度.测试结果表明,Ce0.9Gd0.1B6成分单晶体具有最优异的热发射性能,在1873K工作温度下,4000 V电压条件下发射电流密度达到82.3 A/cm2,零场电流发射密度为24.70A/cm2,平均有效逸出功为2.30 eV,与相同条件下CeB6单晶体热发射性能(热发射电流密度为78.2 A/cm2,零场电流发射密度为13.32 AJcm2)相比,其具有更大的发射电流密度和更低的逸出功.因此,采用该制备技术获得的Ce1-xGdxB6单晶体具有良好的发射性能,作为热阴极材料将会有更好的应用前景.
关键词:
光学区域熔炼法
,
Ce1-xGdxB6单晶体
,
热发射性能
赵向阳
,
满沛文
,
谢涛
,
武安华
,
苏良碧
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160113
利用光学浮区法生长Sm0.8Tb0.2FeO3单晶,采用劳尔背衍射仪对样品质量进行检测并定向.测试了c-切Sm0.8Tb0.2FeO3单晶在零场冷却模式的磁温曲线,发现其自旋重取向温度范围为360,-400 K.总结以前的工作发现Sm1-xTbxFeO3系列材料的自旋重取向温度随着稀土铽(Tb)含量的增加而线性减小,这表明Sm1-xTbxFeO3系列材料中Fe3+-Re3+之间的超交换作用发生变化.热膨胀测试结果发现Sm0.8Tb0.2FeO3存在三个温度转变区域:～250 K、350～480 K和～700 K.250 K发生的不正常相变是由于铁离子弱铁磁矩诱导的稀土离子磁矩方向的改变造成的,350--480 K是由于在这一温度范围发生铁离子自旋重取向,而～700 K发生的相变是由于铁离子自旋由反铁磁有序到顺磁无序的磁转变.
关键词:
正铁氧体
,
光学浮区法
,
相转变
